Gallium Nitride (GaN) Substrate Marktgröße, Aktien & Trends Analyse, Nach Typ (GaN auf Saphir, GaN auf Si), Durch Größe (2 Zoll, 4 Zoll), Durch Anwendung, Durch End-User, Durch Region und Prognosezeit 2022 – 2030. (Updated Version Available)

Report ID - MRC_2210 | Pages - 272 | Category - Materials And Chemicals

Gallium Nitride (GaN) Substrate Marktübersicht:

Die Gallium Nitride (GaN) Substrate Marktgröße wurde 2021 bei USD 3,925,85 Mio. bewertet und eine CAGR von 11,6% während der Prognosezeit (2022-2030) registriert, und der Markt soll bis 2030 USD 9,833,86 Mio. betragen.Galliumnitrid (GaN) Substrate bieten gute Gleichmäßigkeit, ausgezeichnete Kristallinität und überlegene Oberflächenqualität mit wenigen Versetzungen. Sie haben geringere Kühlanforderungen und bieten eine verbesserte Energieeffizienz, schnellere Geschwindigkeiten und eine hohe Leistungsdichte. Zusätzlich bieten GaN-Substrate eine hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit mit geringerem Gewicht und geringeren Abmessungen. Diese Eigenschaften von GaN-Substraten sind einige der wichtigsten Determinanten, die ihren Einsatz in verschiedenen Endverbraucher-Industrien wie Automotive, Consumer Electronics, Aerospace, IT & Telekommunikation und unter anderem steigern.

Marktdynamik:

Fahrer:

Die Fähigkeit von GaN-Substraten, unterschiedliches farbiges Licht zu erzeugen, wenn sie einem elektrischen Strom ausgesetzt sind, macht sie ideal für den Einsatz in LED-Anwendungen. Darüber hinaus erhöhen die Eigenschaften von GaN-Substraten wie hoher Wärmekapazität, hoher Wärmeleitfähigkeit und verbesserter optischer Qualität den Einsatz in LED-Anwendungen.

Nach Angaben der Internationalen Energieagentur (IEA) hat der weltweite Einsatz von LEDs im Jahr 2021 deutliche Fortschritte im Vergleich zu 2020 gezeigt. So begannen verschiedene Länder weltweit, Glühlampen auszubauen und durch LEDs als Hauptbeleuchtungstechnologie zu ersetzen. Laut IEA nutzen derzeit mehr als 50% des globalen Beleuchtungsmarktes LED-Technologie. Darüber hinaus hat die New York Power Authority im Juni 2020 in einem pa eingetragenrtnership with Signify, ein globaler Hersteller von Beleuchtungslösungen, um Smart Street Lighting NY zu unterstützen. Das Programm zielt darauf ab, bis 2025 rund eine halbe Million Lichter durch energieeffiziente LED-Leuchten zu ersetzen.

Zurückhaltend:

Die Verwendung und Implementierung von Gallium Nitride (GaN) Substraten sind in der Regel mit hohen Kosten verbunden, was einer der Hauptfaktoren ist, die das Wachstum des Marktes einschränken. Die Gesamtkosten der Gallium Nitride (GaN) Substrate sind in erster Linie von den Herstellungskosten abhängig, gefolgt von den Rohstoffkosten einschließlich Gallium, das bei der Herstellung von GaN-Substraten verwendet wird. So kostet beispielsweise nach Xiamen Powerway Advanced Material Co., Limited ein zwei Zoll Gallium Nitride (GaN) Substrat im Allgemeinen rund USD 1.900, was im Vergleich zu seiner Alternative relativ hoch ist, wie zum Beispiel Siliciumdioxid Substrat kostet rund USD 25-50 für ein sechs Zoll Substrat.

Gallium Nitride (GaN) Substrate Bericht Abdeckung:

Attribute anzeigen Bericht Details
Studienzeit 2016-2030
Marktgröße in 2030 (USD Million) 9.833.86 Millionen
CAGR (2022-2030) 11.6%
Typ GaN auf Saphir, GaN auf Si, GaN auf GaN, GaN auf Diamant, Andere
Nach Größe 2 Zoll, 4 Zoll,

6 Zoll, 8 Zoll

Anwendung Transistoren, Laser, LEDs, HF-Geräte, andere Von End-User Automotive, Aerospace and Defense, IT und Telekommunikation, Consumer Electronics, Healthcare, Andere Von der Geographie Nordamerika– (USA, Kanada, Mexiko)

Europa (Deutschland, Frankreich, U.K., Russland, Italien, Spanien, BENELUX, Rest Europa)

Asien-Pazifik (China, Japan, Indien, Südkorea, Australien, ASEAN, Rest Asien-Pazifik)

Lateinamerika (Brasilien, Argentinien, Chile, Rest Lateinamerikas)

Naher Osten und Afrika (GCC, Türkei, Südafrika und der Rest von MEA) Schlüsselspieler Saint-Gobain, Sumitomo Chemical Co., Ltd., SOITEC, Mitsubishi Chemical Corporation, NGK Insulators Ltd, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Limited, Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd, SixPoint Materials, Inc., Sino Nitride Semiconductor Co., Cree Inc. (Woolfspeed Inc.), und Jiaozuo Commercial Finewin Co., Ltd.

(Tischprobe)

Marktsegmentierung:

Typ

Das Typsegment ist in GaN auf Saphir, GaN auf Si, GaN auf GaN, GaN auf Diamond und andere unterteilt. Die GaN auf Saphir Das Segment wird voraussichtlich den größten Umsatzanteil von über 1,864,08 Mio. USD im Jahr 2025 während der prognostizierten peri beitragenod. GaN auf Saphirsubstraten bieten höhere Ausfallspannung und verbesserte Leistung bei hohen Temperaturen. Daher werden GaN auf Saphirsubstraten in erster Linie in der Funkenergieverstärkung, der Optoelektronik, der Hochleistungsgeräte und der LED-Anwendungen eingesetzt. Die zunehmende Übernahme von LEDs durch mehrere Branchen wie Automobil, Elektronik und Gesundheitswesen sowie die steigende Nachfrage nach LED-Display-Panels, CSP-LEDs und andere ähnliche Faktoren treiben die Nachfrage nach GaN auf Saphirsubstraten weiter. Darüber hinaus wird erwartet, dass das Segment GaN auf Si während des Prognosezeitraums bei einem CAGR von über 11,9 % wachsen wird. GaN auf Si werden hauptsächlich in mehreren Anwendungen eingesetzt, darunter hochleistungsfähige Digital-Analog-Wandler (DACs), Sender, Antriebe und mehr im Elektrofahrzeug, Telekommunikation, Unterhaltungselektronik und anderen Industriebereichen. Im Jahr 2021 investierte Ford 11 Milliarden US-Dollar, um neue Elektrofahrzeuganlagen in den USA mit dem Ziel zu entwickeln, seine Elektrofahrzeugproduktion zu steigern. Die Entwicklung der neuen Anlagen soll bis 2025 abgeschlossen werden. Daher wird eine Erhöhung der Elektrofahrzeugproduktion die Forderung nach GaN auf Si-Substraten für den Einsatz in mehreren Anwendungen mit Leistungsgeräten für eine hohe Leistungsregelung in in in Elektrofahrzeugen installierten Wechselrichtern antreiben.

Gan Type

Anwendung

Das Anwendungssegment ist in Transistoren, Laser, LEDs, HF-Geräte und andere unterteilt.

Das LED-Segment wird für den größten Anteil von etwa 30,33% im Jahr 2021 aufgrund der Fähigkeit von Gallium Nitride Substrate zur Erzeugung von unterschiedlichem farbigem Licht rechnen. wenn sie einem elektrischen Strom ausgesetzt sind. Hohe Wärmekapazität, hohe Wärmeleitfähigkeit, verbesserte optische Qualität und Funktionalität sind einige der wichtigsten Faktoren, die die Nachfrage nach GaN-Substraten für den Einsatz in LED-Anwendung. Laut der Consumer Technology Association (CTA) wird der Smartphone-Versand bis Ende 2022 auf 74,7 Milliarden US-Dollar geschätzt, was einem Wachstum von 3% gegenüber 2021 entspricht. Darüber hinaus startete Porotech im November 2020 sein erstes LED-Produkt auf Basis von Galliumnitrid für den Einsatz in der Elektronikindustrie. Daher wird erwartet, dass sich das anhaltende Wachstum der Verbraucherelektronik im Voraus positiv auf den Markt auswirkt.

Gan app

Von Region:

Das regionale Segment umfasst Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, den Nahen Osten und Afrika und Lateinamerika. Im Jahr 2021 wird Nordamerika als Beitrag zum größten Umsatzanteil von 1.351.79 Mio. betrachtet. Der Markt in der Region Nordamerika wird aufgrund des Anstiegs der Zahl der Unternehmen, die mit der autonomen Fahrzeugherstellung verbunden sind, zu wachsen. Die Entstehung autonomer Pkw- und Elektroantriebe im Automobilsektor war ein vorherrschender Faktor für das Wachstum des Marktes in der Region.

Die Region Asien-Pazifik wird voraussichtlich mit einem CAGR von 12,1 % während des Prognosezeitraums beträchtliches Wachstum verzeichnen. Das rasante Tempo der Industrialisierung, Entwicklung und Globalisierung schafft lukrative Chancen für das Wachstum des Marktes in der Region. Darüber hinaus das Wachstum von mehreren Industrien in der Region Asien-Pazifik wie Elektronik, Automobile und anderes, fördert das Marktwachstum für GaN-Substrate. Faktoren wie die zunehmende Entwicklung neuer Technologien im Elektronikbereich, die Steigerung des Einwegeinkommens und das Überschreiten des Eindringens von Smartphones, Laptops und anderen Verbrauchergeräten mit fortschrittlichen Funktionen in Asien-Pazifik sind einige der wichtigsten Aspekte, die das Wachstum des Elektroniksektors in der Region vorantreiben.

Gallium Nitride (GaN) Substrate Markt Wettbewerb Landschaft:

Die Wettbewerbslandschaft des Marktes wurde im Bericht sowie die detaillierten Profile der wichtigsten Akteure der Branche analysiert. Darüber hinaus haben der Anstieg in Forschung und Entwicklung (R&D), Produktinnovation, verschiedene Geschäftsstrategien und Anwendungseinführungen das Wachstum des Global Gallium Nitride (GaN) Substrates Market beschleunigt. Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt gehören:

  • Saint-Gobain
  • Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • SOITÄT
  • Mitsubishi Chemical Corporation
  • NGK Insulatoren Ltd
  • Xiamen Powerway Advanced Material Co., Limited
  • Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.
  • SixPoint Materials, Inc.
  • Sino Nitride Semiconductor Co.
  • Cree Inc. (Woolfspeed Inc.)
  • Jiaozuo Commercial Finewin Co., Ltd.

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Gallium Nitride (GaN) Substrates Market Size, Share & Trends Analysis, By Type (GaN on Sapphire, GaN on Si), By Size (2 Inch, 4 Inch), By Application, By End-User, By Region and Forecast Period 2022 – 2030. (Updated Version Available)
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