Gallium Nitride (GaN) Substrats Aperçu du marché :
La taille du marché du Nitride de Gallium (GaN) a été évaluée à US$ 3 925,85 millions en 2021, enregistrant un TCAC de 11,6% au cours de la période de prévision (2022-2030), et le marché devrait valoir US$ 9 833,86 millions d’ici 2030.Les substrats de nitrite de gallium (GaN) offrent une bonne uniformité, une excellente cristallinité et une qualité de surface supérieure avec peu de dislocations. Ils ont des exigences de refroidissement plus faibles et offrent une efficacité énergétique accrue, des vitesses plus rapides et une densité de puissance élevée. En outre, les substrats GaN offrent une conductivité électrique et thermique élevée avec un poids plus faible et des dimensions plus petites. Ces caractéristiques des substrats de GaN sont quelques-uns des déterminants clés de leur utilisation dans diverses industries d’utilisateurs finaux telles que l’automobile, l’électronique grand public, l’aérospatiale, l’informatique et les télécommunications, entre autres.
Dynamique du marché :
Conducteur :
La capacité des substrats GaN à produire une lumière de couleur différente lorsqu’ils sont exposés à un courant électrique les rend idéales pour une utilisation dans les applications LED. En outre, les propriétés des substrats GaN tels que la puissance thermique élevée, la conductivité thermique élevée et l’amélioration de la qualité optique augmentent son utilisation dans les applications LED.
Selon l’Agence internationale de l’énergie (AIE), le déploiement mondial des DEL a connu des progrès significatifs en 2021 par rapport à 2020. Par exemple, divers pays du monde ont commencé à éliminer progressivement les lampes à incandescence et à les remplacer par des DEL comme principale technologie d’éclairage. Selon l’AIE, actuellement, plus de 50% du marché mondial de l’éclairage utilise la technologie LED. En outre, en juin 2020, la New York Power Authority artnership avec Signify, un fabricant mondial de solutions d’éclairage, afin de soutenir Smart Street Lighting NY. Le programme vise à remplacer environ un demi-million de lumières dans l’ensemble de l’État par des lumières LED à haut rendement énergétique d’ici 2025.
3.1.2 Retenue:
L’utilisation et la mise en œuvre des substrats Gallium Nitride (GaN) sont généralement associées à un coût élevé, qui est l’un des principaux facteurs limitant la croissance du marché. Le coût global des substrats de Gallium Nitride (GaN) dépend principalement du coût de production, suivi du coût des matières premières, y compris le gallium utilisé dans la fabrication des substrats de Gali. Par exemple, selon Xiamen Powerway Advanced Material Co., Limited, un substrat à deux pouces Gallium Nitride (GaN) coûte généralement environ 1 900 USD, ce qui est relativement très élevé par rapport à son alternative telle que Silice substrat coûtant environ USD 25-50 pour un substrat de six pouces.
Gallium Nitride (GaN) Substrats Couverture du rapport :
Attributs du rapport | Détails du rapport |
Calendrier de l’étude | 2016-2030 |
Taille du marché en 2030 (en millions d’USD) | 9 833,86 millions |
TCAC (2022-2030) | 11,6% |
Par type | GaN sur Saphir, GaN sur Si, GaN sur GaN, GaN sur Diamond, Autres |
Par taille | 2 pouces, 4 pouces, |
6 pouces, 8 pouces
Europe- (Allemagne, France, Royaume-Uni, Russie, Italie, Espagne, BENELUX, reste de l’Europe)
Asie-Pacifique (Chine, Japon, Inde, Corée du Sud, Australie, ANASE, Reste de l’Asie-Pacifique)
Amérique latine (Brésil, Argentine, Chili, Reste de l ‘ Amérique latine)
Moyen-Orient et Afrique- (GCC, Turquie, Afrique du Sud, et le reste de l’AEM)
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Segmentation du marché:
Par type
Le segment type est divisé en GaN sur Sapphire, GaN sur Si, GaN sur GaN, GaN sur Diamond et autres. Le GAN sur Saphir Le segment devrait représenter la plus grande part du chiffre d’affaires de plus de 1 864,08 millions de dollars en 2025 au cours de la périodeod. Le GaN sur les substrats saphirs offre une tension de panne plus élevée et une performance améliorée à haute température. Par conséquent, le GaN sur les substrats de saphir est principalement utilisé dans l’amplification de l’énergie radio, l’optoélectronique, les dispositifs de haute puissance et les applications LED. L’adoption croissante de LED par de multiples industries, y compris l’automobile, l’électronique et les soins de santé, ainsi que la demande croissante de panneaux d’affichage LED, de LED CSP et d’autres facteurs similaires, sont à l’origine de la demande de GaN sur les substrats de saphir. De plus, on s’attend à ce que le segment de GaN sur Si augmente de plus de 11,9 % au cours de la période de prévision. GaN on Si est principalement employé dans de multiples applications, y compris les convertisseurs numériques à analogiques de haute puissance (DAC), les émetteurs, les entraînements et plus utilisés dans les véhicules électriques, les télécommunications, l’électronique grand public et d’autres secteurs industriels. En 2021, Ford a investi 11 milliards USD pour développer de nouvelles installations de véhicules électriques aux États-Unis dans le but d’augmenter sa production de véhicules électriques. Le développement des nouvelles installations devrait être achevé d’ici 2025. Par conséquent, une augmentation de la production de véhicules électriques stimulera la demande de GaN sur les substrats Si pour une utilisation dans de multiples applications impliquant des dispositifs d’alimentation pour le contrôle de haute puissance dans les onduleurs installés dans les véhicules électriques.
Par demande
Le segment d’application est divisé en transistors, lasers, LEDs, appareils RF, et autres.
Le segment LEDs devrait représenter la plus grande part d’environ 30,33 % en 2021 en raison de la capacité des substrats de Nitride Gallium à produire une lumière de couleur différente lorsqu’il est exposé à un courant électrique. La puissance thermique élevée, la conductivité thermique élevée, l’amélioration de la qualité optique et la fonctionnalité sont quelques-uns des principaux facteurs à l’origine de la demande de substrats GaN pour une utilisation en LED. Selon la Consumer Technology Association (CTA), l’expédition des smartphones est estimée à 74,7 milliards de dollars à la fin de 2022, soit une croissance de 3% par rapport à 2021. Par ailleurs, en novembre 2020, Porotech a lancé son premier produit LED basé sur le nitrite de gallium pour une utilisation dans l’industrie électronique. Par conséquent, la croissance croissante des secteurs de l’électronique grand public devrait avoir une incidence positive sur le marché pendant la période de prévision.
Par région:
Le segment régional comprend l’Amérique du Nord, l’Europe, l’Asie-Pacifique, le Moyen-Orient et l’Afrique, et l’Amérique latine. En 2021, l’Amérique du Nord est considérée comme contribuant la plus grande part des revenus de 1 351,79 millions. Le marché nord-américain devrait croître en raison de l’augmentation du nombre d’entreprises associées à la fabrication de véhicules autonomes. L’émergence de voitures autonomes et de systèmes de propulsion électrique dans le secteur automobile a été un facteur prédominant pour la croissance du marché dans la région.
La région de l’Asie-Pacifique devrait connaître une forte croissance au cours de la période de prévision, avec un TCAC de 12,1 %. Le rythme rapide de l’industrialisation, du développement et de la mondialisation crée des possibilités lucratives de croissance du marché dans la région. De plus, la croissance de plusieurs industries dans la région de l’Asie-Pacifique, comme l’électronique, l’automobile et d’autress, favorise la croissance du marché des substrats de GAN. Des facteurs tels que le développement croissant des nouvelles technologies dans le secteur de l’électronique, l’augmentation du revenu disponible et l’augmentation de la pénétration des smartphones, des ordinateurs portables et d’autres appareils de consommation ayant des caractéristiques avancées en Asie-Pacifique sont quelques-uns des principaux facteurs à l’origine de la croissance du secteur de l’électronique dans la région.
Gallium Nitride (GaN) Substrats Marché Paysage concurrentiel :
Le paysage concurrentiel du marché a été analysé dans le rapport, ainsi que les profils détaillés des principaux acteurs du secteur. De plus, l’essor de la recherche et du développement (R-D), de l’innovation dans les produits, de diverses stratégies d’affaires et des lancements d’applications ont accéléré la croissance du marché mondial des substrats Gallium Nitride (GaN). Les principaux acteurs du marché sont notamment :
- Saint-Gobain
- La société Sumitomo Chemical Co., Ltd.
- SOITEC
- Mitsubishi Chemical Corporation
- NGK Isolators Ltd
- Xiamen Powerway Advanced Material Co., Limited
- Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
- Matériaux SixPoint, Inc.
- Sino Nitride Semiconductor Co.
- Cree Inc. (Woolfspeed Inc.)
- Jiaozuo Commercial Finewin Co., Ltd
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