次世代メモリ市場規模、シェア&トレンド分析、タイプ(非揮発性、揮発性)、ウェーハサイズ(200 mm、300 mm)、アプリケーション(BFSI、コンシューマーエレクトロニクス、政府)、地域および予測期間2022 - 2030 (Updated Version Available)

Report ID - MRC_1647 | Pages - 225 | Category - Next Generation Technologies

市場の洞察:

グローバル 次世代メモリ市場 USD 6.1 で評価されました 2021年にBnが成長し、2030年までにUSD 51.3 Bnに達すると予想される。

運転者:高められた採用の 次世代メモリ 次世代技術産業では、高い機能、構造の安定性、良質、そして物事をより良くするために要求されるためです。 要求のための 次の世代 メモリはまた、分析、購入量、コスト、価格設定分析、および規制枠組みなどの他の重要な側面を持っています。 また、多くのセクターにおける次世代メモリの需要が増加し、予測期間における市場成長を促進します。

次世代メモリは、より速く、より効率的な、より高価なストレージソリューションです。 シリコン チップ。 その結果、通信、情報技術(IT)、銀行、金融サービス、保険(BFSI)業界において世界中で広く利用されています。 人工知能(AI)、モノのインターネット(IoT)、ビッグデータ、その他のテクノロジーに基づいて、高帯域幅、低消費電力、高スケーラブルなメモリデバイスの必要性が高まります。 その結果、次世代メモリの需要が高まっています。

次世代メモリ市場調査レポート「市場リサーチコミュニティ」がリリースされました。 型(非揮発性、揮発性)、適用(BFSIの消費者電子工学、政府、 テレコミュニケーション、情報技術)、 によって ウェーハ サイズ(200 mm、300 mm、450 mm)および企業(SAMSUNG、Rambus、SK HYNIX INC.、 スピンメモリ株式会社、NXPセミコンダクター、東芝 テキサス・インスツルメンツ株式会社、Western Digital Corporation、Viking Technology、4DS Memory Limited、Adesto Technologies Corporation、Avalanche Technology、Cypress Semiconductor Corporation、Everspin Technologies Inc、Fujitsu、IBM Corporation、Microchip Technology Inc.、Nantero。)、 市場調査コミュニティの分析によると、市場は、約26.7%のCAGRに達する重要なペースで成長する予定で、2022〜2030年の予測期間にわたって。

レポートの適用範囲:

レポート属性 レポート詳細
学習タイムライン 2018年-2030年
2030年の市場規模(USD億) 51.3 請求
カリフォルニア(2022-2030) 26.7%の
タイプ別 非揮発性、揮発性
用途別 BFSI、コンシューマーエレクトロニクス、政府、通信、情報技術
ウエファーサイズ別 200のmm、300のmm、450のmm。

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貯蔵によって 大量の貯蔵、埋め込まれた貯蔵。 バイ 地理学 北アメリカ、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東、アフリカ キープレイヤー SAMSUNG、Rambus、SK HYNIX INC.、Spin Memory Inc.、NXPセミコンダクター。、東芝 テキサス・インスツルメンツ株式会社、Western Digital Corporation、Viking Technology、4DS Memory Limited、Adesto Technologies Corporation、Avalanche Technology、Cypress Semiconductor Corporation、Everspin Technologies Inc、Fujitsu、IBM Corporation、Microchip Technology Inc.、Nantero。

[テーブルサンプル]

恋物癖19 影響:COVID-19のパンデミックは、世界の多くの地域で次世代記憶市場に大きな影響を与えてきました。 原材料、輸送規制、製造施設の操業停止、および経済の減速などの限られた可用性などの要因は、市場成長を妨げたCOVID-19の主な影響です。 自動車生産や厳格な政府のルールをシャットしたため、初期のロックダウン中に出荷が影響されました。 業界のCOVID-19の全体的な影響は、状況が安定しているため、最小限であることを推定されます。 Covid-19を投稿し、産業製造プロセスの増加と環境に優しい代替品の需要増加による市場成長にプラスの影響がありました。

企業の競争力のある景色:研究は市場の主要なプレーヤーの広範囲のプロフィールおよび競争の分析を含んでいます 風景。 サンプルの準備のための市場は、研究開発(研究開発)、製品革新、異なるビジネス戦略、およびアプリケーションリリースのスパイクの結果としてより迅速に成長しました。 市場での主なプレーヤーは、-

SAMSUNG、Rambus、SK HYNIX INC.、Spin Memory Inc.、NXPセミコンダクター。、東芝 テキサス・インスツルメンツ株式会社、Western Digital Corporation、Viking Technology、4DS Memory Limited、Adesto Technologies Corporation、Avalanche Technology、Cypress Semiconductor Corporation、Everspin Technologies Inc、Fujitsu、IBM Corporation、Microchip Technology Inc.、Nantero。

市場区分の分析:タイプ別 非揮発性

  • 磁気抵抗型ランダムアクセスメモリ(MRAM)
  • フェロ電気のRAM (FRAM)
  • 抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)
  • 3D Xpointの特長
  • ナノRAM
  • その他の非揮発技術 (RAM、STT-RAM、SRAMの変更点)

揮発性

  • ハイブリッドメモリキューブ(HMC)
  • 高帯域幅記憶(HBM)

用途別

  • BFSIの特長
  • 消費者エレクトロニクス
  • 政府機関
  • テレコミュニケーション
  • 情報技術
  • その他

ウエファーサイズ別

  • 200のmm
  • 300のmm
  • 450のmm

貯蔵によって

  • マスストレージ
  • 組み込みストレージ
  • その他

エリアアジアパシフィック、欧州、北米、中東、アフリカ、中南米、中南米を含む地域セグメント。 2021年、予測期間中に最大のシェアを得られると予想される地域の一部。

大きくて簡単な要因 基本的なことの可用性、人口間の電力の上昇、および有利な政府の政策および産業施設は、地域における産業成長を加速する推定される。 産業化の成長率は、地域における次世代記憶産業の存在を後押しすることを期待しています。

主な次世代 記憶市場 トレンド– 型、サブタイプ、テクノロジーの活用、アプリケーション、エンドユーザー、およびジオグラフィに基づいて、研究は、グローバル次世代メモリ市場セグメントを特定、定義、および予測します。

– 次世代の記憶のための産業に企業によって保持される最も大きい市場シェア

– 将来の成長、開発パターン、見込み客、および全体的な市場への貢献に基づいて、マイクロ市場を分析します。

– 地理的な領域からの需要は成長を後押しすると推定されます。

– 次世代メモリ産業における市場セグメントの採用拡大

– 予測期間に、いくつかの地域で増加率が予想される

MRCで業界レポートを購入する理由市場動向や予測期間のビジネスチャンスなど、レポートには膨大な量の情報があります。

セグメントとサブセグメントには、量的、定性的、値(百万米ドル)およびボリューム(百万単位)統計が含まれます。

地域、地域、地域、および国家レベルのデータには、市場の供給と需要のダイナミクスに関する情報も含まれています。

競争の激しい風景には、重要なプレーヤー、最近の革新、戦略の比率が含まれています。

包括的な製品提供、重要な財務データ、最新の進歩、SWOT分析、および主要なプレーヤー戦術。

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