IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) and Thyristor Market Size, Share & Trends Analysis, By Packaging Type (IGBT Module, IGBT Discrete), By Power Rating (Low, High), , Voltage (<400 V, 600–650 V), Application (Thyristor, circuits de snubber), Région et période de prévision 2022 – 2030 (Updated Version Available)

Report ID - MRC_1017 | Pages - 157 | Category - Electronics and Semiconductors

Perspectives du marché :

IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) Et Thyristor La taille du marché a été évaluée à 5,54 milliards de dollars en 2021, enregistrant un TCAC de 4,3 % au cours de la période de prévision (2022-2030), et le marché devrait valoir 8,09 milliards de dollars en 2030.

En ce qui concerne les pertes de commutation et les temps de commutation, les transistors bipolaires à portail isolé (IGBT) et les thyristors surpassent les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Afin de répondre à une demande élevée en électricité, des transistors bipolaires de jonction (BJT) sont également utilisés, ainsi qu’une tension de rupture élevée.

IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) Et Thyristor Market Research Report” vient d’être publié par Market Research Community. Il est divisé en plusieurs catégories, y compris le type (IGBT Discrete, IGBT Module), l’application (systèmes de transmission d’énergie (systèmes HVDC, FACTS), (énergie renouvelable (systèmes de production d’énergie photovoltaïque, systèmes de production d’énergie éolienne), (systèmes de traction sur rail), (alimentation électrique sans interruption), (véhicules électriques et hybrides Véhicules électriques) et les entreprises (New Jersey Semiconductor (US), Siemens AG (Allemagne), Schneider Electric (France), Powerex Inc. (US), Silicon Power Corporation (US), StarPower Semiconductor Ltd. (Chine), et Littelfuse, Inc. (US), Infineon Technologies AG (Allemagne), Fuji Electric Co., Ltd. (Japon), ON Semiconductor (US), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), STMicroelectronics (Suisse), Renesas Electronics Corporation (Japon), Vishay Intertechnology (US), ABB Ltd (Suisse), SEMIKRON (Allemagne), Hitachi, Ltd. (Japon), et Toshiba Corporation (Japon), ROHM Co., Ltd. (Japon), Danfoss (Danemark), Central Semiconductor Corp. (États-Unis), Selon l’analyse de la communauté d’études de marché, le marché devrait croître à un rythme significatif, atteignant un TCAC d’environ 4,3 %, au cours de la période de prévision de 2022-2030.

Conducteur :L’adoption accrue de l’IBBT (Transistor Bipolaire de Porte Isolée) Et Thyristor dans l’industrie des semi-conducteurs est due à une grande capacité de travail, stabilité de la structure, bonne qualité et demande pour améliorer les choses. La demande pour IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) Et Thyristor a également d’autres aspects importants, tels que l’analyse, le volume d’achat, les coûts, l’analyse des prix et le cadre réglementaire. De plus, la demande accrue d’IBBT (Transistor Bipolaire de Porte Isolée) Et Thyristor dans de nombreux secteurs stimule également la croissance du marché pendant la période de prévision.

Couverture du rapport :

Attributs du rapport Détails du rapport
Échéancier de l’étude 2018-2030
Taille du marché en 2030 (milliard USD) 8.09 milliard
TCAC (2022-2030) 4,3%
Par type Module IGBT discret, IGBT
Par demande (systèmes de transmission d’énergie (systèmes HVDC, FACTS), (énergie renouvelable (systèmes de production d’énergie photovoltaïque, systèmes de production d’énergie éolienne), (systèmes de traction sur rail), (alimentation électrique sans interruption), (véhicules électriques et véhicules électriques hybrides), (conducteurs de moteurs (industrie

Moteurs, moteurs commerciaux, moteurs résidentiels, électronique de consommation, autres)

Catégories couvertes Thyristors avec contrôle bidirectionnel, Thyristors avec capacités de déclenchement, Thyristors avec capacités de déclenchement Par géographie Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Amérique latine, Moyen-Orient et Afrique Acteurs clés New Jersey Semiconductor (US), Siemens AG (Allemagne), Schneider Electric (France), Powerex Inc. (US), Silicon Power Corporation (US), StarPower Semiconductor Ltd. (Chine) et Littelfuse, Inc. (US), Infineon Technologies AG (Allemagne), Fuji Electric Co., Ltd. (Japon), ON Semiconductor (US), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), STMicroelectronics (Suisse), Renesas Electronics Corporation (Japon), Vishay Intertechnology (US), ABB Ltd (Suisse), SEMIKRON (Allemagne), Hitachi, Ltd. (Japon) et Toshiba Corporation (Japon), ROHM Co., Ltd. (Japon), Danfoss (Danemark), Central Semiconductor Corp. (US).

Covid-19 Impact:La pandémie de COVID-19 a eu une influence négative importante sur l’IBBT (Transistor bipolaire à porte isolée) Et le marché de Thyristor dans de nombreuses régions du monde. Les facteurs tels que la disponibilité limitée des matières premières, les restrictions en matière de transport, l’arrêt des installations de fabrication et le ralentissement économique sont les principaux impacts de la COVID-19, qui a entravé la croissance du marché. Les expéditions ont été touchées lors du verrouillage initial en raison de l’arrêt de la production automobile et de règles gouvernementales rigoureuses. L’impact global de COVID-19 sur l’industrie est estimaLa situation s’est stabilisée. Après covid-19, la croissance du marché a eu un impact positif en raison de l’augmentation des procédés de fabrication industrielle et de la demande croissante de solutions de remplacement respectueuses de l’environnement.

Paysage concurrentiel de l’industrie :La recherche comprend des profils détaillés des principaux acteurs du marché et une analyse du paysage concurrentiel. Le marché de la préparation d’échantillons s’est développé plus rapidement en raison de l’essor de la recherche et du développement (R-D), de l’innovation des produits, de différentes stratégies commerciales et des rejets d’applications. Les principaux acteurs du marché sont notamment :

New Jersey Semiconductor (US), Siemens AG (Allemagne), Schneider Electric (France), Powerex Inc. (US), Silicon Power Corporation (US), StarPower Semiconductor Ltd. (Chine) et Littelfuse, Inc. (US), Infineon Technologies AG (Allemagne), Fuji Electric Co., Ltd. (Japon), ON Semiconductor (US), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), STMicroelectronics (Suisse), Renesas Electronics Corporation (Japon), Vishay Intertechnology (US), ABB Ltd (Suisse), SEMIKRON (Allemagne), Hitachi, Ltd. (Japon) et Toshiba Corporation (Japon), ROHM Co., Ltd. (Japon), Danfoss (Danemark), Central Semiconductor Corp. (US).

Analyse du segment de marché :Par type d’emballage

  • IGBT Discret
  • IGBT Module

Par catégorie de pouvoir

  • Faible
  • Moyenne
  • Haut

Par tension

  • < 400 V
  • 600-650 V
  • 1 200 à 1 700 V
  • 2 500 à 3 300 V
  • > 4 500 V

Par demandeSystèmes de transmission de puissance

  • Systèmes HVDC
  • FAITS

C’est vrai.
Énergies renouvelables

  • Systèmes de production d’électricité PV
  • Systèmes de production d’énergie éolienne

Systèmes de traction ferroviaireAlimentation électrique sans interruptionVéhicules électriques et véhicules électriques hybridesMoteurs

  • Moteurs industriels
  • Moteurs commerciaux
  • Moteurs résidentiels
  • Électronique grand public
  • Autres

Classes de Thyristors Couvert :

  • Thyristors avec contrôle bidirectionnel
  • Thyristors avec capacités de déclenchement
  • Thyristors avec capacités de déclenchement

RégionLe segment régional comprend l’Asie-Pacifique, l’Europe, l’Amérique du Nord, le Moyen-Orient et l’Afrique, l’Amérique latine. En 2021, certaines de ces régions s’attendaient à ce que leur part soit la plus importante au cours de la période de prévision.

On estime que les facteurs tels que la grande disponibilité et la facilité des choses de base, l’augmentation du pouvoir d’achat de la population et les politiques gouvernementales favorables et les installations industrielles accélèrent la croissance de l’industrie dans la région. Le taux croissant d’industrialisation devrait renforcer la présence de l’IBBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) et des industries de Thyristor dans la région.

Key IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) et les tendances du marché de Thyristor– Basé sur le type, le sous-type, la technologie utilisée, les applications, les utilisateurs finaux et les géographies, la recherche identifie, définit et prédit les segments Global IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) et Thyristor Market.

– La plus grande part de marché détenue par l’industrie pour IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) et Thyristor

– Basé sur théritier attendu croissance, modèles de développement et perspectives pour l’avenir, et contributions à l’ensemble du marché, il analyse les micro marchés.

– La demande de la zone géographique est estimée pour stimuler la croissance.

– L’adoption d’un segment de marché en croissance dans l’IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor)

– Au cours de la période de prévision, des taux de croissance plus élevés sont prévus dans certaines régions

Pourquoi acheter le rapport de l’industrie par MRCLe rapport contient une quantité considérable d’informations, y compris les tendances du marché et les débouchés commerciaux pour la période de prévision.

Les segments et sous-segments comprennent les statistiques quantitatives, qualitatives, de valeur (en millions d’USD) et de volume (en millions d’unités).

Les données aux niveaux régional, sous-régional et national contiennent également des informations sur la dynamique de l’offre et de la demande du marché.

Le paysage concurrentiel comprend les proportions d’acteurs importants, les innovations récentes et la stratégie.

Offre complète de produits, données financières importantes, dernières avancées, analyse SWOT, et tactiques de joueurs clés.

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