市场透视:
那个 下一代非波动记忆(NVM)市场 预测期间(2022-2030年)CAGR为32.1%,预计到2030年市场价值为31.8 Bn。
驱动程序 :增加通过 下一代 非挥发性内存( NVM) 下一代 工业是由于高可操作性、结构稳定、质量好以及要求改善情况。 对下一代非波动记忆(NVM)的需求也有其他重要方面,例如分析、采购量、成本、定价分析和监管框架。 此外,下一代非波动记忆在许多部门的需求增加,也促进了预测期间的市场增长。
非挥发性记忆 (NVM)非常可靠,可以使用简单的微型计算机和大多数流电设备进行编程;2015年,该段占据了下一代非挥发存储器市场的大部分. 相变内存(PCM),铁电内存(FERAM), 磁反射内存,抵抗性RAM(RRAM),闪存,和自旋转移的扭矩RAM是几个非挥发性记忆(STT-RAM)的例子.
下一代非波动记忆(NVM)市场调查报告”刚刚由市场研究社区发布. 它分为几类,包括产品(FERAM,PCM,MRAM,ReRAM), 应用程序(移动电话、缓存存储和企业存储、工业和汽车、大规模存储、 内嵌 MCU( M) 智能卡公司(Samsung电子有限公司、Cypress半导体公司、IBM公司、Adesto技术公司、Everspin技术公司、Crossbar公司、Fujtsu有限公司、英特尔公司、Micron技术公司) 根据市场研究界的分析,预计在2022-2030年的预测期间,市场将以显著的速度增长,达到大约32.1%的CAGR。
报告覆盖面:
| 报告属性 | 报告细节 |
| 学习时间表 | 2018-2030 (英语). |
| 2030年市场规模(10亿美元) | 31.8亿 |
| CAGR (2022-2030) (英语). | 32.1% |
| 按产品分列 | FERAM, PCM, MRAM, ReRAM 设备 |
| 通过应用程序 | 移动电话、缓存存储和企业存储、工业和汽车、大规模存储、嵌入式MCU和智能卡 |
| 按地域划分 | 北美、欧洲、亚太、拉丁美洲、中东和非洲 |
| 关键玩家 | 三星电子有限公司,Cypress半导体,IBM |
公司、Adesto技术、Everspin技术、Crossbar公司、Fujitsu有限公司、英特尔公司、Micron技术
[表-样本]
科维德-19 影响 :COVID-19大流行对世界许多不同地区的下一代非波动记忆市场产生了很大的负面影响。 诸如原材料供应有限、运输限制、制造业设施停产和经济放缓等因素是COVID-19的主要影响,它阻碍了市场增长。 在最初的封锁期间,由于停止了汽车生产,政府制定了严格的规则,运输受到影响。 COVID-19对该行业的总体影响估计很小,因为情况已经稳定。 covid-19之后,由于工业制造工艺增加,对环境友好型替代品的需求增加,对市场增长产生了积极影响。
行业竞争性景观:研究内容包括市场关键角色的全面概况以及对竞争环境的分析。 由于研发(研发)、产品创新、不同的业务战略以及应用发布量激增,样本准备市场增长更快。 市场上的主要角色包括:
三星电子有限公司,Cypress半导体,IBM公司,Adesto技术,Everspin技术,Crossbar Inc.,Fujtsu有限公司,英特尔公司,微信技术
市场段分析:按产品分列
- 费拉姆
- PCM (中文(简体) ).
- 内存
- 内存
按 App 键许可证
- 移动电话
- 缓存内存和企业 储存
- 工业和汽车
- 质量存储
- 嵌入式MCU 智能卡( S)
地区区域部分包括亚太、欧洲、北美、中东和非洲、拉丁美洲。 2021年,其中一些区域预计在预测期间贡献最大。
诸如基本物品供应量大和容易、居民购买力不断提高以及政府政策和工业设施有利等因素估计将加速本区域的工业增长。 预计工业化速度的提高将促进该地区下一代非挥发性记忆产业的存在。
关键下一代非波动记忆(NVM)市场趋势– 根据类型、子类型、使用的技术、应用、最终用户和地理图,研究确定、界定和预测全球下一代非波动记忆市场部分。
– 工业对工业持有的最大市场份额,用于下一代非挥发记忆
– 根据其预期增长、发展模式和未来前景以及对整个市场的贡献,分析微观市场。
– 估计来自地理区域的需求将促进增长。
– 在下一代非波动记忆中采用日益扩大的市场部分 工业
– 在预测期间,预计一些地区的增长率较高
MRC为什么购买工业报告报告提供了大量信息,包括市场趋势和商业行动预测期间的房地产。
各部分和分部分包括数量、质量、价值(百万美元)和数量(百万单位)统计。
区域、次区域和国家一级的数据还包括市场供求动态的信息。
竞争环境包括重要角色的比例、最近的革新和战略。
综合产品提供,重要财务数据,最新进展,SWOT分析,以及关键玩家战术.
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