IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и Thyristor Market Size, Share & Trends Analysis, By Packaging Type (IGBT Module, IGBT Discrete), By Power Rating (Low, High), , Voltage (<400 V, 600-650 V), Application (Thyristor, Snubber circuits), Region and Forecast Period 2022 - 2030 (Updated Version Available)

Report ID - MRC_1017 | Pages - 157 | Category - Electronics and Semiconductors

Рыночные перспективы:

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и Thyristor Market были оценены в 5,54 млрд долларов США в 2021 году, зарегистрировав CAGR 4,3% в течение прогнозируемого периода (2022-2030), и рынок, по прогнозам, будет стоить 8,09 млрд долларов США к 2030 году.

С точки зрения переключения потерь и времени переключения, изолированные затворные биполярные транзисторы (IGBT) и тиристоры превосходят металл-оксид-полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET). Для удовлетворения высоких требований к электричеству также используются биполярные переходные транзисторы (BJT), а также высокоразрывное напряжение.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и Thyristor Market Research Report были выпущены маркетинговым исследовательским сообществом. Она разделена на несколько категорий, включая тип (IGBT Discrete, IGBT Module), приложение ((Системы передачи энергии (HVDC Systems, FACTS), (Реактивная энергия (системы генерации энергии), Ветрогенераторные системы) (системы железнодорожных путей), (Непеременные источники питания), (электронные транспортные средства и гибридные системы). Электромобили), (Motor Drives (Industrial Motors, Commercial Motors, Residential Motors, Consumer Electronics, Others)) и компании (New Jersey Semiconductor (США), Siemens AG (Германия), Schneider Electric (Франция), Powerex Inc. (США), Silicon Power Corporation (США), StarPower Semiconductor Ltd. (США), Infineon Technologies AG (Германия), Fuji Electric Co., Ltd. (США), ON Semiconductor (США), Mitsubishi Electric Corporation (Япония), STMicroelectronics (Япония), Renesas Electronics Corporation (США), Vishay Intertechnology (США), ABB Ltd (Швейцария), SEMIKRON (Германия), Hitachi, Ltd. (Япония), Toshiba Corporation (Япония), ROHM Co., Ltd. (Япония), Danfoss (Дания), Central Semiconductor Corp. (США) Согласно анализу Market Research Community, рынок, по прогнозам, будет расти значительными темпами, достигая CAGR примерно на 4,3% в течение прогнозируемого периода 2022-2030 годов.

Водитель:Усиление внедрения IGBT (Биполярный транзистор изолированных ворот) А Thyristor в индустрии полупроводников обусловлен высокой работоспособностью, стабильностью структуры, хорошим качеством и спросом на улучшение. IGBT (изолированный полярный транзистор) Кроме того, у Thyristor есть и другие важные аспекты, такие как анализ, объем закупок, затраты, анализ цен и нормативно-правовая база. Повышенный спрос на IGBT (Биполярный транзистор изолированных ворот) И Тиристор во многих секторах также стимулирует рост рынка в течение прогнозируемого периода.

Подключение к докладу:

Атрибуты докладов Детали доклада
Время обучения 2018-2030 годы
Размер рынка в 2030 году ($ млрд) 8,09 млрд.
CAGR (2022-2030) 4,3%
По типу IGBT Discrete, модуль IGBT
С помощью приложения (Power Transmission Systems (HVDC Systems, FACTS), (Renewable Energy (PV Power Generation Systems, Wind Power Generation Systems)), (Rail Traction Systems), (Uninterrupted Power Supply), (Electric Vehicles and Hybrid Electric Vehicles), (Motor Drives (Industrial)

Моторы, коммерческие двигатели, жилые автомобили, бытовая электроника, другие)

Занятия, охватываемые Тиристоры с двунаправленным контролем, тиристоры с возможностью поворота, тиристоры с возможностью поворота География Северная Америка, Европа, Азиатско-Тихоокеанский регион, Латинская Америка, Ближний Восток и Африка Ключевые игроки New Jersey Semiconductor (США), Siemens AG (Германия), Schneider Electric (Франция), Powerex Inc. (США), Silicon Power Corporation (США), StarPower Semiconductor Ltd. (США), Infineon Technologies AG (Германия), Fuji Electric Co., Ltd. (США), ON Semiconductor (США), Mitsubishi Electric Corporation (Япония), STMicroelectronics (Швейцария), Renesas Electronics Corporation (США), Vishay Intertechnology (США), ABB Ltd (Швейцария), SEMIKRON (Германия), Hitachi, Ltd. (Япония), Toshiba Corporation (Япония), ROHM Co., Ltd. (Япония), Danfoss (Дания), Central Semiconductor Corp. (США).

Covid-19 Воздействие:Пандемия COVID-19 оказала существенное негативное влияние на IGBT (изолированный биполярный транзистор) Тиристорский рынок во многих регионах мира. Такие факторы, как ограниченная доступность сырья, ограничения на транспортировку, прекращение производства и замедление экономического роста, являются основными последствиями COVID-19, которые препятствовали росту рынка. Поставки пострадали во время первоначальной блокировки из-за остановки производства автомобилей и строгих правительственных правил. Общее влияние COVID-19 на отрасль является эстимойОна минимальна, потому что ситуация стабилизировалась. После covid-19 рост рынка оказал положительное влияние на рост, обусловленный увеличением производственных процессов и ростом спроса на экологически чистые альтернативы.

Конкурентный ландшафт:Исследование включает в себя комплексные профили ключевых игроков на рынке и анализ конкурентного ландшафта. Рынок подготовки образцов вырос быстрее в результате всплеска исследований и разработок (НИОКР), инноваций в продуктах, различных бизнес-стратегий и выпусков приложений. Ключевыми игроками рынка являются:

New Jersey Semiconductor (США), Siemens AG (Германия), Schneider Electric (Франция), Powerex Inc. (США), Silicon Power Corporation (США), StarPower Semiconductor Ltd. (США), Infineon Technologies AG (Германия), Fuji Electric Co., Ltd. (США), ON Semiconductor (США), Mitsubishi Electric Corporation (Япония), STMicroelectronics (Швейцария), Renesas Electronics Corporation (США), Vishay Intertechnology (США), ABB Ltd (Швейцария), SEMIKRON (Германия), Hitachi, Ltd. (Япония), Toshiba Corporation (Япония), ROHM Co., Ltd. (Япония), Danfoss (Дания), Central Semiconductor Corp. (США).

Анализ сегмента рынка:Тип упаковки

  • IGBT Дискретный
  • IGBT Модуль

По рейтингу Power Rating

  • Низкий низкий
  • Средний
  • Высокий

Напряжение

  • <400 В
  • 600-650 V
  • 1200 – 1700 V
  • 2500-3300 В
  • >4 500 V

С помощью приложенияСистемы передачи энергии

  • Системы HVDC
  • ФАКТЫ

i>
Возобновляемая энергия

  • PV Системы генерации электроэнергии
  • Системы генерации энергии ветра

Железнодорожные системыБеспрерывное энергоснабжениеЭлектромобили и гибридные электромобилиМоторные приводы

  • Промышленные моторы
  • Коммерческие автомобили
  • Жилые автомобили
  • Потребительская электроника
  • Другие

Классы тиранов Прикрытый:

  • Тиристоры с двунаправленным управлением
  • Тиристоры с возможностью поворота
  • Тиристоры с пошаговыми способностями

РегионРегиональный сегмент включает Азиатско-Тихоокеанский регион, Европу, Северную Америку, Ближний Восток и Африку, Латинскую Америку. В 2021 году некоторые из этих регионов, как ожидается, будут вносить наибольший вклад в течение прогнозируемого периода.

По оценкам, такие факторы, как большая и легкая доступность основных вещей, рост покупательной способности населения и благоприятная государственная политика и промышленные объекты, ускоряют рост промышленности в регионе. Ожидается, что рост индустриализации увеличит присутствие в регионе биполярных транзисторов IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

Ключевые IGBT (Биполярный транзистор изолированных ворот) и тренды рынка тиристораОсновываясь на типе, подтипе, используемых технологиях, приложениях, конечных пользователях и географии, исследования идентифицируют, определяют и прогнозируют глобальные IGBT (изолированный биполярный транзистор) и сегменты рынка Thyristist.

Крупнейший рынок, принадлежащий промышленности для IGBT (изолированный биполярный транзистор) и Thyristist

– На основании tНаследник ожидаемого роста, тенденций развития и перспектив на будущее и вклад в общий рынок анализирует микрорынки.

По оценкам, спрос с географического района будет способствовать росту.

Растущий сегмент рынка в IGBT (Биполярный транзистор изолированных ворот) и тиристорской промышленности

– В течение прогнозируемого периода ожидается более высокий темп роста в некоторых регионах

Почему стоит купить отчет MRCВ отчете содержится огромное количество информации, включая тенденции рынка и возможности для бизнеса на прогнозируемый период.

Сегменты и подсегменты включают количественную, качественную, стоимость (Миллион долларов США) и статистику объема (Миллирование единиц).

Данные на региональном, субрегиональном и национальном уровнях также содержат информацию о динамике спроса и предложения на рынке.

Конкурентный ландшафт включает в себя пропорции важных игроков, последние инновации и стратегию.

Комплексные предложения продуктов, важные финансовые данные, последние достижения, SWOT-анализ и ключевая тактика игроков.

Table of Content

To check our Table of Contents, please mail us at: [email protected]

Research Methodology

The Market Research Community offers numerous solutions and its full addition in the research methods to be skilled at each step. We use wide-ranging resources to produce the best outcome for our customers. The achievement of a research development is completely reliant on the research methods implemented by the company. We always faithful to our clients to find opportunities by examining the global market and offering economic insights.

Market Research Community are proud of our widespread coverage that encompasses the understanding of numerous major industry domains. Company offers consistency in our research report, we also offers on the part of the analysis of forecast across a range of coverage geographies and coverage. The research teams carry out primary and secondary research to carry out and design the data collection methods.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) And Thyristor Market Size, Share & Trends Analysis, By Packaging Type (IGBT Module, IGBT Discrete), By Power Rating (Low, High), , Voltage (<400 V, 600–650 V), Application (Thyristor, Snubber circuits), Region and Forecast Period 2022 – 2030 (Updated Version Available)
Back to top button